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        金硅面壘型半導(dǎo)體探測器

        更新時間:2024-05-10

        簡要描述:

        我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護(hù)層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

        型號:廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家瀏覽量:5658
        品牌飛諾飛產(chǎn)地類別國產(chǎn)
        應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,能源

        我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點,適用于對能譜要求高的場合,如氡釷分析儀等,B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護(hù)層,克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高,作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

        型號工作電壓

        對比ORTEC

        U-016-300-100 型

        探測器

        (Am-241 面源)

        真空下測量能量分

        辯率1.2%

        對比ORTEC

        U-016-300-100 型

        探測器

        (Am-241 面源)

        真空下測量峰道址

        202

        A-AS205~300VDC大于1000204~206
        A-AS265~300VDC大于1000204~206
        B-AS205~300VDC大于1000189-191
        B-AS265~300VDC大于1000189-191



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